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德国工兵
第20楼2007/08/30
谢谢回复，我觉的您举的例子是一个特殊情况，根据我的了解二次电子二次电子产额与入射电子能量的关系是这样的：如图：
二次电子产额与入射电子能量的关系 上图说明了入射电子能量E较低时，随束能增加二次电子产额δ增加，而在高束能区，δ随E增加而逐渐降低。这是因为当电子能量开始增加时，激发出来的二次电子数量自然要增加，同时，电子进入到试样内部的深度增加，深部区域产生的低能二次电子在像表面运动过程中被吸收。由于这两种因素的影响入射电子能量与δ之间的曲线上出现极大值，这就是说，在低能区，电子能量的增加主要提供更多的二次电子激发，高能区主要是增加入射电子的穿透深度。
因此只有在少数情况下二次电子产额才会大于入射电子，也就是图中曲线的最高点部分区域。不知道我的理解是否正确，欢迎指正。谢谢！icewine2000 发表:二次电子数当然可以远多于入射电子数，图里描述的很清楚了。
SE效率＝I_se / I_p, 是通过测量实际电流算出的。入射电子在转化热能的过程中不知道激发了多少个二次电子。
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icewine2000
第21楼2007/08/31
这个东西怎么说呢。。。δ曲线决定于很多因素包括材料本身，是否有喷Au，表面形状，入射角等，我只想说明δ能大于1而已。这个东西知道就行了，在实际使用中感觉不到，因为最终图象是数字处理过的。
tao______ 发表:二次电子产额与入射电子能量的关系 上图说明了入射电子能量E较低时，随束能增加二次电子产额δ增加，而在高束能区，δ随E增加而逐渐降低。这是因为当电子能量开始增加时，激发出来的二次电子数量自然要增加，同时，电子进入到试样内部的深度增加，深部区域产生的低能二次电子在像表面运动过程中被吸收。由于这两种因素的影响入射电子能量与δ之间的曲线上出现极大值，这就是说，在低能区，电子能量的增加主要提供更多的二次电子激发，高能区主要是增加入射电子的穿透深度。
因此只有在少数情况下二次电子产额才会大于入射电子，也就是图中曲线的最高点部分区域。不知道我的理解是否正确，欢迎指正。谢谢！
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firefall
第23楼2007/11/30
厉害！以前一直对这类知识不清楚。学习中.........
tao______ 发表:先回答您的第一个问题：入射电子的行为，从加速电子轰击样品开始，大部分的电子转化为热能，只有少数入射电子会激发其他信号，RENXIN版主解释过了，少数的入射电子会和样品有两种作用，第一：弹性碰撞模型，这种模型的实质是卢瑟福散射，入射电子其实是和原子核作用，入射电子的能量并没有改变严格讲应该是改变很小，只是运动的方向改变，通过改变运动方向散射出来，散射出来的这样的电子叫做背散射电子。第二：非弹性碰撞模型，这种模型的实质是入射电子和原子核外层的电子作用，作用过程很多，如连续X射线激发，二次电子激发，其他射线的激发，等等，二次电子激发只是其中的一种，当然在各种激发的过程中原先入射电子的能量衰减的多少是不一样的，比如连续X射线激发，入射电子能量衰减100％；二次电子激发过程中能量衰减<100%，只有出射能量小于50ev的出射电子定义为二次电子，因此入射电子的数量要比产生的二次电子数量多很多。到这里你的第一个问题已经解决了，入射电子以背散射电子，二次电子，以及其他射线的形式释放出来了，并不在样品里面。
第二个问题：入射电子不能主动填充，因为核外电子有严格的能阶分布，这个很简单。
第三个问题：二次电子定义为入射电子和核外电子作用后出射的<50ev的电子为二次电子，满足这两个条件的只能是入射电子和表层样品作用以后的出射电子。超过某一深度，入射电子和核外电子作用后二次电子产额为零。
以上回答仅供参考。欢迎继续讨论
