THz晶体-GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb

THz晶体-GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb

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产品介绍

THz晶体-GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb

                                      

 

        筱晓光子技术有限公司的德国合作方之一 MolTech公司生产和经销各类激光晶体，包括作为激光活性物质的晶体，光学器件晶体，各种单晶，非线性光学晶体！现在我公司把MolTech公司的部分用于THz产生的非线性晶体介绍给中国的科研界客户。

THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

     其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。

     InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。

材料

InP

InSb

InP: Fe

InP:Zn

GaP

GaAs:Te

GaAs:Zn

GaAs 多晶

阻抗, omNaN

0.03 - 0.2

-

1x106 - 2x107

-

-

-

-

-

直径

-

-

1,011 - 1,2511

1,011 - 1,2511

-

12,511

1,511

-

轴向

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

-100

-

-

载流子浓度, cm-3

(0.8 - 2.0) x 1015

(8 - 30) x 1013

-

(0.2 - 1.0) x 1018

(4 - 6) x 1016

2 x 1017

1.0 x 1019

2 x 1015

灵敏度, cm2/V.Sec

3500 - 4000

-

-

50 -70

-

4500

-

5200

生长技术

-

可参杂

-

-

可参杂

-

Cz

Bridjman 

 

详细的产品信息请向我公司咨询！

 

 

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