磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体

品牌Eachwave

货号 4766530 价格 面议

产品介绍

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体

产品简介        

       磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。

      （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。


中文名：磷化镓

外文名：Gallium phosphide

分子式：GaP

分子量：100.6968




实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果

GaP磷化镓晶体产品


GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description

   1  

GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished.

    2 

GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished..

    3

GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished..

    4

GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished..

    5

GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished..

    6

GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..

(a)其他规格要求可以定制

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