半导体器件的制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 9:15:07
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简介:

一种制造半导体器件,例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下,选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物,得到结晶硅膜,再以它们作起始点,在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜,然后再使其热结晶化,构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时,得到漏电小和迁移率高的晶体管。

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