半导体器件及其制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 11:10:21
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简介:

一种覆盖半导体器件衬底(10)的互连。在一个实施例中,导电势垒层覆盖部分互连,钝化层(92)覆盖导电势垒层,且钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。在一个变通实施例中,钝化层(22)覆盖互连,钝化层(22)具有暴露互连的窗口(24),且导电势垒层(32)覆盖窗口(24)中的互连。

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