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锤子
半导体器件的制造方法.pdf
- 类别：专利
- 上传人：wuyuzegang
- 上传时间：2023/4/18 14:11:12
- 文件大小：1681K
- 下载次数：0
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简介：
在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。
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