半导体结构.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 18:51:00
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简介:

通过首先生长一个适应缓冲层(24)可以生长高质量的化合物半导体材料的外延层,覆盖晶格不匹配的基片,最好为硅基片。适应缓冲层是通过优选的氧化硅的无定形氧化物分界层(28)与基片(22)相分隔的单晶绝缘体(24)的层面。该无定形分界层消除应力,并且允许生长高质量的单晶绝缘体适应缓冲层(24),其最好为例如碱土金属钛化物、锆化物等等这样的钙钛矿氧化物材料。

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