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本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用,包括:多转速马达,用以旋转晶片吸盘,该马达可使该吸盘保持在第一转速大于1500rpm,第二转速约介于1500rpm和1000rpm之间,以及第三转速小于1000rpm;以及第一喷嘴,配置于该吸盘上,靠近该吸盘上的晶片边缘,该第一喷嘴用以喷洒溶剂。本发明的所述的半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统避免了因光致刻蚀剂残留物与浸入曝光液和透镜接触而污染曝光液和透镜,也避免了光致刻蚀剂在曝光过程中被污染,并且减少了晶片上形成的缺陷。
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