去除光刻胶和蚀刻残留物的方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 15:05:45
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简介:

提供一种用于等离子体灰化(120)的方法,用于去除在前面介电层(104)等离子体蚀刻期间形成的光刻胶残余(106)以及蚀刻剩余物(110)。该灰化方法使用包含含氢气体的两步等离子体处理,其中在第一清洁步骤(120)对基底施加低或零偏置,从而从基底去除大量的光刻胶残余(106)和蚀刻剩余物(110),另外从腔室表面蚀刻和去除有害的氟碳剩余物。在第二清洁步骤(130)中对基底施加增加了的偏置,从而从基底上去除剩余的光刻胶(106)和蚀刻剩余物(110)。该两步处理减少了在传统一步灰化处理中常观察到的记忆效应。可以使用终点检测方法来监控灰化处理。

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