半导体装置及开关元件.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 15:07:27
  4. 文件大小:830K
  5. 下载次数:0
  6. 消耗积分 : 50积分 移动终端:免积分

收藏

简介:

一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片,使漏极电极短路的结构,故安装面积大,也不能降低漏极电极间的电阻,市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接,将两芯片重叠。在双型MOSFET中,不需要将漏极电极导出至外部,仅是两个栅极端子及两个源极端子,故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。

打开失败或需在电脑查看,请在电脑上的资料中心栏目,点击"我的下载"。建议使用手机自带浏览器。

  • 注意:
  • 1、下载文件需消耗流量,最好在wifi的环境中下载,如果使用3G、4G下载,请注意文件大小
  • 2、下载的文件一般是pdf、word文件,下载后如不能直接浏览,可到应用商店中下载相应的阅读器APP。
  • 3、下载的文件如需解压缩,如果手机没有安装解压缩软件,可到应用商店中下载相应的解压缩APP。