使用非对称导电隔离体的半导体制造工艺.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 15:50:41
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简介:

一种半导体工艺和所得到的晶体管包括在栅电极(116)的任一侧上形成导电延伸部隔离体(146,150)。对导电延伸部(146,150)和栅电极(116)独立地进行掺杂,使得每一个结构可以是n型或者p型。从侧面对源/漏区(156)进行注入,设置在隔离体(146,150)的任一侧上。可以对隔离体(146,150)独立地进行掺杂:使用第一倾斜注入(132)掺杂第一延伸部隔离体(146),使用第二倾斜注入(140)对第二隔离体(150)掺杂。在一个实施例中,掺杂不同的延伸部隔离体(146,150)的使用消除了对阈值调整沟道注入的需要。

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