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本发明公开了一种光刻机工件台平衡定位系统,涉及半导体的光刻技术领域。该工件台平衡定位系统包括基础框架、长行程模块、曝光台、平衡质量系统、平衡质量防漂系统、测量系统和控制系统;长行程模块建立在平衡质量系统上,带动曝光台沿X、Y向运动;平衡质量系统建立在基础框架上,包括主平衡质量和辅平衡质量,用于平衡系统的反作用力和反作用力矩;平衡质量防漂系统安装在基础框架和主平衡质量之间,用于补偿平衡质量系统沿X、Y和Rz向的漂移;控制系统根据测量系统的反馈数据控制长行程模块的运动及主平衡质量的位置补偿。本发明大幅减少了工件台加速运动时对光刻机基础的反作用力,从而降低了光刻机的减振难度,提高了工件台的定位精度。
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