纳米压印光刻胶.pdf

本发明涉及一种电子元件的微结构化方法,其提供高分辨率(≤200纳米)和良好纵横比,但明显比照相平版印刷法更为经济。根据本发明的方法包括下列步骤：i)制备如权利要求1的纳米复合材料组合物的未固化的平面溶胶膜；ii)制备由底涂层b)和载体c)组成的目标底材；iii)借助微结构化的转移压印冲头将得自i)的溶胶膜材料转移至ii)中的底涂层b)上；iv)将转移的溶胶膜材料予以固化；v)移除转移压印冲头,得到压印的微结构作为顶涂层a)。微结构化的半导体材料的制备另外包括下列步骤：vi)等离子体蚀刻残余的纳米复合材料溶胶膜层,优选用CHF-(3)/O-(2)等离子体,vii)等离子体蚀刻底涂层,优选用O-(2)等离子体,viii)蚀刻半导体材料或者在经蚀刻区域掺杂半导体材料。