贴合式半导体晶圆以及贴合式半导体晶圆的制造方法.pdf

本发明提供一种贴合式半导体晶圆,在主要表面上具有单晶硅层,其中该贴合式半导体晶圆具有一自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层,并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面,以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。因此提供能避免掉Trap-rich型的SOI基板中由于BOX氧化膜之中的电荷的影响或杂质所导致的基底晶圆的电阻率的低下,并使高频的基本讯号的失真及一电路向其它电路的环绕讯号变少,并且量产性为优良的贴合式半导体晶圆。