图像传感器的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构.pdf

本申请公开了一种图像传感器的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构,涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上生长第一外延层；在第一外延层表面形成硬掩膜层；在第一外延层中形成若干个纵横排列的深沟槽；在深沟槽内形成第二外延层；通过热氧化工艺,在深沟槽内形成预定厚度的氧化层；对衬底进行回刻蚀,露出第二外延层；快速生长第三外延层,第三外延层覆盖深沟槽的顶部,第三外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度；对衬底表面进行CMP处理,在衬底上形成深沟槽隔离；解决了在通过外延生长方式形成深沟槽隔离时,深沟槽交叉区域的顶部和底部容易出现缺陷的问题；达到了优化深沟槽隔离的形成工艺,提升器件性能的效果。