NexION 300S ICP-MS 对光刻胶中的Si的分析

2020/05/20   下载量: 7

方案摘要

方案下载
应用领域 电子/电气
检测样本 电子元器件产品
检测项目
参考标准

使用ICP、ICP-MS分析时存在光学干扰,而仪器的结构又决定了Si的检出限比其他元素更高,所以为了分析低浓度的Si,必须去除光学干扰或更换仪器进样系统 ( 雾室、雾化器、中心管、炬管 ) 本实验的目的是利用NexION 的 DRC模式确定分析Si的最佳条件。

方案下载
配置单
方案详情

使用ICP、ICP-MS分析时存在光学干扰,而仪器的结构又决定了Si的检出限比其他元素更高,所以为了分析低浓度的Si,必须去除光学干扰或更换仪器进样系统 ( 雾室、雾化器、中心管、炬管 )

本实验的目的是利用NexION 的 DRC模式确定分析Si的最佳条件。


上一篇 生活饮用水全面解决方案
下一篇 ICP-OES 分析高浓度钯(Pd)内的微量硒 (Se)

文献贡献者

相关仪器 更多
相关方案
更多

相关产品

当前位置: PerkinElmer 方案 NexION 300S ICP-MS 对光刻胶中的Si的分析

关注

拨打电话

留言咨询