方案摘要
方案下载应用领域 | 电子/电气 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | |
参考标准 | 暂无 |
在半导体工业,严格控制半导体器件生产过程中所使用化学品中的金属杂质,对于实现所需的产品性能和产量至关重要。随着半导体器件性能的持续提高,对杂质的控制要求也更加严格。例如,生产过程中所使用超纯水 (UPW) 中的金属含量必须控制在亚 ppt 水平。ICP-MS 是半导体工艺化学品和器件中痕量金属分析的标准技术。半导体工业中最常用的仪器和测试技术是带冷等离子体的单四极杆 ICP-MS (ICP-QMS)。开发于上世纪 90 年代中期的冷等离子体技术,可定量分析 ppt 水平主要污染物元素。从 2000 年开始建立起来的带碰撞反应池的 ICP-QMS,可以实现更复杂半导体基质的直接分析,但是不能改善冷等离子体的检测限或背景等效浓度 (BEC)。为实现亚 ppt 水平的检测,要求必须降低BEC。 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)采用新型反应池技术,对于 Ca 的分析可得到 100 ppq 的背景等效浓度 (BEC)。本文描述了采用 Agilent 8800 ICPMS/MS 分析超纯水中亚 ppt 水平 Ca 的原理和操作。
前言
在半导体工业,严格控制半导体器件生产过程中所使用化学品中的金属杂质,对于实现所需的产品性能和产量至关重要。随着半导体器件性能的持续提高,对杂质的控制要求也更加严格。例如,生产过程中所使用超纯水 (UPW) 中的金属含量必须控制在亚 ppt 水平。ICP-MS 是半导体工艺化学品和器件中痕量金属分析的标准技术。半导体工业中最常用的仪器和测试技术是带冷等离子体的单四极杆 ICP-MS (ICP-QMS)。开发于上世纪 90 年代中期的冷等离子体技术,可定量分析 ppt 水平主要污染物元素。从 2000 年开始建立起来的带碰撞反应池的 ICP-QMS,可以实现更复杂半导体基质的直接分析,但是不能改善冷等离子体的检测限或背景等效浓度 (BEC)。为实现亚 ppt 水平的检测,要求必须降低BEC。
Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)采用新型反应池技术,对于 Ca 的分析可得到 100 ppq 的背景等效浓度 (BEC)。本文描述了采用 Agilent 8800 ICPMS/MS 分析超纯水中亚 ppt 水平 Ca 的原理和操作。
结论
在冷等离子体下,等离子体产生的主要的多原子离子 NO+,可通过电荷转移反应在反应池中产生少量的 Ar +, 在m/z = 40 处干扰 Ca 的测定。Agilent 8800 ICP-MS/MS 在特有的 MS/MS 模式下运行,可以阻止等离子体产生的离子进入反应池,防止多余的反应发生。这可以使Agilent 8800 ICP-MS/MS 在检测超纯水中的 Ca 时实现 41 ppq 的 BEC。
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