方案摘要
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对于多孔材料结构的表征SU9000带来完美的解决方案,由于介孔硅材料不导电,对加速电压很敏感,容易受到电子束的损伤,通常考虑降低加速电压进行显微观察,如上图利用减速模式下0.5kV的着陆电压可以清晰的看到介孔硅的孔径、孔壁及形态结构,并且达到最高800k的超高放大倍数,从而得到材料的真实形貌与理论相匹配。
对于多孔材料结构的表征SU9000带来完美的解决方案,由于介孔硅材料不导电,对加速电压很敏感,容易受到电子束的损伤,通常考虑降低加速电压进行显微观察,如上图利用减速模式下0.5kV的着陆电压可以清晰的看到介孔硅的孔径、孔壁及形态结构,并且达到最高800k的超高放大倍数,从而得到材料的真实形貌与理论相匹配。
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