方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | |
参考标准 | 无 |
杂化钙钛矿薄膜的TRCL分析,钙钛矿CL光谱分析,用于高性能蓝色钙钛矿电致发光的卤化物均化,CH3NH3PbI 3 - xBr x钙钛矿单晶CL分析,钙钛矿太阳能电池,钙钛矿中间转换膜的CL研究
杂化钙钛矿薄膜的TRCL分析
在优化的采集条件下,使用脉冲电子束,可以通过CL高光谱图的采集来解决杂化钙钛矿薄膜发射特征的不均匀性。
这些优化将有助于解锁CL高光谱mapping和TRCL在电子束更敏感的杂化钙钛矿组合物上的使用。
钙钛矿CL光谱分析
钙钛矿表面的表征:以背散射模式记录的SEM图像,以突出表面上的PbI2团簇(左);
在不同温度下在钙钛矿膜上记录的阴极发光光谱。来自(1)钙钛矿、(2)束诱导分解产物和(3)PbI2(中间)的发光;
在170K下测量的PbI2发射的阴极发光图(在475-525nm光谱范围内积分的发光)证实了PbI2团簇的存在。
沉积在中孔-TiO2/致密-TiO2/FTO上的原始(对照)和含有调节剂(N、S和SN)钙钛矿膜的平面图(顶部)和横截面(底部)SEM图,
沉积在ITO(1mm)玻璃基板上的原始(对照)和含添加剂(N、S和SN)钙钛矿膜的阴极发光(CL)图谱。
研究中使用的N、S和SN调节剂的结构,以及SN的相应互变异构形式(在B3LYP/6-31G(d)理论水平上通过DFT计算优化的几何结构。
峰值光子能量和CL强度与薄膜深度的相关性。a) 斜面样品CL实验示意图。b) 作为与CdSeTe/MgZnO界面距离的函数,平行于结平均的峰值光子能量和 c)CL强度。
成分x值在0%至40%范围内的倾斜CdSexTe1-x样品的CL强度。最上面的一行表示右侧图例中显示的普通缩放的强度。中间一行对每个构图使用单独的缩放来增强每个构图的对比度。下一行用颜色表示第二行的结果,以增强整个膜的可视化,特别是对于更高的Se浓度。右侧图例提供了比例。白色条对应于沿着倾斜表面的5微米。
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