型号: | MerlinEM |
产地: | 英国 |
品牌: | Quantum Detectors |
评分: |
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核心参数:
探测器:500 μm 硅
探测器类型:反向偏压混合硅二极管阵列
像素尺寸:55 x 55 μm
有效探测面积:1R 单芯片:14 x14 mm2;4R/4S四芯片: 28x28 mm2
像素数:1R单芯片:256 x 256;4R/4S 四芯片:512 x 512
读出噪音 / 信噪比 (SNR) :0,可设置阈值。信噪比:107:1 。
量子检测效率 DQE,60keV:零频率下 : 1;奈奎斯特频率下: 0.45
调制传递函数 MTF,60keV:奈奎斯特频率下 >0.62 ( 决定于工作模式)
帧速( 连续):
全幅读出(最大): 18800fps(1bit), 3600 fps (6bit), 1800 fps (12bit), 800fps (24bit);
局部区域读出(最大):7200fps (128x256, 6bit), 14400 fps (64x256, 6bit)
间隙时间(连续):0 μs
动态范围:最大 24 位,每像素高达 16,777,216 计数 ;
触发器:3.3 / 5 V TTL脉冲或软件中控制 ;
能量范围:30-300keV
软件:4D STEM 软件,Labview软件和TCP/IP协议,GM3集成界面。
安装:侧插伸缩式或底部固定式。可选 NanoMEGAS 旋进电子衍射集成接口。
产品介绍:
MERLIN 直接电子探测器 (Direct Electron Detector (DED)) 是透射电子显微镜领域先进探测器的最新技术发展,它以像素化格式将电子直接探测和快速读出技术结合在一起,是适用于电子衍射、旋进 电子衍射、4D STEM 和 TEM 动态成像等应用的理想技术方案。在这种新型探测器中,每个传感器像素分别与智能芯片相连,该芯片使用阈值鉴别器将电子与背景区分开来,有效地消除了所有读出噪声。这一技术可进行积分模式成像,采集多个短曝光图像并相加在一起。更独特的是,相邻像素可以通 讯以减轻荷电共享效应,这与电子的直接检测相结合,从而产生了更高的性能。当束流能量下降至 60 keV 时,MERLIN 能提供接近理想的 DQE 和 MTF 探测器响应。
技术特点:
直接电子探测
单电子事件的无噪声检测。
动态范围:
高达24位计数深度,在一幅图像中呈现 1 : 1.67x107 的强度范围,是记录衍射花样的理想选择。
有效的零噪音读出
每个像素中 2 个阈值鉴别器 , 实现零读取噪声。
电荷加和模式
像素之间通讯设计,减轻电荷共享效应,最大限度地提高 DQE 和 MTF。
高速数据读出
千赫兹的帧速率和连续模式下零死时间,提供了前所未有的实验灵活性, 最大限度地减少了样品漂移等的影响,实现单点曝光和“泵浦探测”动态实验。
宽能量范围和辐射耐受性
最低 30keV 阈值,使得低能电子显微成像成为可能。
安装
侧插伸缩式安装或底部固定式安装。可选与旋进电子衍射集成化安装
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