临界点干燥改善石墨烯场效应晶体管的电传输特性

2024-06-27 20:22  下载量:0

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本文介绍了临界点干燥(CPD)技术的新应用案例:利用超临界CO2作为清洗步骤,用于在氧化硅(Si)基片上微加工的石墨烯场效应晶体管(GFETs),结果表明场效应迁移率增加,杂质掺杂减少。研究显示:通过CPD处理后,石墨烯转移过程和设备微加工后残留的聚合物显著减少。此外,CPD有效去除环境中的水分等吸附物,从而减少GFETs中不希望出现的P型掺杂现象。作者建议将CPD技术应用于基于二维材料的电子、光电和光子器件,以在洁净室微加工后和常温存储后恢复其本征特性。在实验研究中,作者使用了美国Tousimis出品的autosamdri-815型自动临界点干燥仪对GFETs 进行CPD处理,有效地清除GFETs表面的聚合物残留和吸附水分,从而显著改善其电传输特性;AFM和XPS等实验数据证明这是一种简单且环保的后处理解决方案。CPD工艺参数等详情,请阅读和参考该论文。

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