方案摘要
方案下载| 应用领域 | 石油/化工 |
| 检测样本 | 其他 |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | GC-MS |
锑化铟是Ⅲ-V族化合物半导体，它具有窄禁带宽度和高迁移率等特点。在300K时，禁带宽度为0.17eV，电子迁移率约为7*10 4cm²·V-1·s-1：在77K时，禁带宽度为0.23eV，电子迁移率的6*10 5cm²V-1·s-1。在红外波段有较高的灵敏度，是一种适宜制作中波红外电探测器、霍尔器件和磁阻元件的材料。近年来用其制备的红外光电探测器已在红外跟踪
锑化铟是Ⅲ-V族化合物半导体，它具有窄禁带宽度和高迁移率等特点。在300K时，禁带宽度为0.17eV，电子迁移率约为7*10 4cm²·V-1·s-1：在77K时，禁带宽度为0.23eV，电子迁移率的6*10 5cm²V-1·s-1。在红外波段有较高的灵敏度，是一种适宜制作中波红外电探测器、霍尔器件和磁阻元件的材料。近年来用其制备的红外光电探测器已在红外跟踪系统、红外照相机、红外热像仪、自动控制器、气体分析仪和红外测温仪等方面广泛应用。
文献贡献者
液相色谱测定柑橘中6种类黄酮化合物含量
气相色谱法测定盐酸金刚乙胺口服液的含量
高效液相色谱法测定化痔灵片中没食子酸含量
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