方案摘要
方案下载应用领域 | 石油/化工 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | |
参考标准 | GC-MS |
锑化铟是Ⅲ-V族化合物半导体,它具有窄禁带宽度和高迁移率等特点。在300K时,禁带宽度为0.17eV,电子迁移率约为7*10 4cm²·V-1·s-1:在77K时,禁带宽度为0.23eV,电子迁移率的6*10 5cm²V-1·s-1。在红外波段有较高的灵敏度,是一种适宜制作中波红外电探测器、霍尔器件和磁阻元件的材料。近年来用其制备的红外光电探测器已在红外跟踪
锑化铟是Ⅲ-V族化合物半导体,它具有窄禁带宽度和高迁移率等特点。在300K时,禁带宽度为0.17eV,电子迁移率约为7*10 4cm²·V-1·s-1:在77K时,禁带宽度为0.23eV,电子迁移率的6*10 5cm²V-1·s-1。在红外波段有较高的灵敏度,是一种适宜制作中波红外电探测器、霍尔器件和磁阻元件的材料。近年来用其制备的红外光电探测器已在红外跟踪系统、红外照相机、红外热像仪、自动控制器、气体分析仪和红外测温仪等方面广泛应用。
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