| 型号： | TE空洞共振区 |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | AET |
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TE空洞共振腔专用于测量厚度小于0.3mm的薄膜，支持5G（第五代移动通信系统），最高可达40GHz的频率。
有固定的间隙用于插入待测样品，并且在测量稳定性方面优于将样品夹在谐振器中的方法。
可以测量各种材料（例如软样品和脆性样品）的介电常数。
TE共振腔也被称为“分裂圆柱“共振腔，将一 薄片样品插入其间的间隙中。该方法支持高达40GHz的频率，因此满足5G（第5代）的要求移动通信系统。
技术参数：
可测试频率范围： 10G-40GHz
介电常数Epsilon：1-5， 准确度： ±1%，
介电损耗tangent delta：0.01-0.0001， 准确度：±5%
样品形状：方形片状
10 GHz（大于50 mm X 50mm） ；
20 GHz（ 大于40 mm X 40mm）；
28/40 GHz（ 大于30 mm X 30mm）
厚度：0.01 -0.3mm
符合标准 JIS R1641 IPC-TM650 2.5.5.13
拥有多种腔体，每个腔可测一个频点.
主要特点：
TE空洞共振腔（Cavity Resonator ），适用于5G薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。
共振腔中心的旋转模式是TE,其中TE是共振腔中心的旋转模式
TE模式共振腔有一个固定的间隙来插入测昼样品，这使得对其他产品的测量稳定性。它可以测呈各种材料，如软质和易碎样品.
通过插入片状样品量测，这种模式在腔体上下分离时也能保持，因此可以进行测量
该方法具有较高的损耗分辨率，适用千低损耗薄膜的测量介电常数的测量方向为平行面
应用领域：
主要应用于5G材料，例如薄膜等。
高速数字/微波电路用基底材料 ；滤波器和介电天线用低损耗电介质 ；化学制品；
薄膜与新材料；半导体材料；电子材料（包括CCL和PCB）
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