APD增益测量，2分钟掌握核心方法

滨松光子学商贸（中国）有限公司

初级电子空穴对在内电场中加速，加速过程中碰撞晶格产生新的电子空穴对，由此单个光子信号结束后产生的电子空穴对的均值即为增益。这一增益受到很多因素的影响包含反向电压，温度，波长等。本文主要介绍测量APD增益的方法。

从这张图可以知道，当反向电压为0时，APD的增益为1，也就是和PD一样，并未发生雪崩，此时输出信号为I_O；在相同的光强下，随着电压的增加，增益增加，输出信号I_P有所增加，增益计算如下：

M= I_P / I_O

下图为测量APD增益的示意图：

值得注意的是，不同的光场分布，对于最终的增益测量有所区别。如LED发散后照射到整个芯片，或者LED经过聚光，只照射到光敏面。具体原因如下：

芯片包含两部分，光敏面和间隙均具有灵敏度，然而，信号只有到光敏面内部才能够被倍增。

滨松的测试条件为LED发散后照射到整个芯片，包括光敏面和间隙。

输出信号=光敏面的输出+间隙的输出。

假设光敏区输出为8，间隙输出为2，则输出信号应为10。当我们要将输出信号放大60倍时，光敏面输出需要达到598。

然而，这种情况下光敏面的增益为74.75（598/8）。因此，如果使用标签上 (M = 60)的电压 V_R，并且光仅入射到感光面内探测，增益将大于60。

本文介绍了滨松对于APD增益的测试方法和光源条件。需要注意，由于光场分布的差异会影响APD的增益测量结果，客户可根据实际的探测光源条件来评估。

编辑：又又&▼

阅读4次

关注