OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩埚可炉管内移动(靠步进电机控制)的小型开启式管式炉。炉管直径为50mm,设备最高工作温度为1200℃。
设备特点:坩埚通过一步进电机控制炉管,按照设定程序移动,同时坩埚后端安装一热电偶(随坩埚仪器移动),可实时监测样品的温度,意味着可通过移动坩埚的位置,在炉体中准确找到实验所需要的温度,使得实验准确度更高,重复性更强。此款设备可用于多种实验,比如HPCVD(hybrid physical chemical deposition),快速热蒸发,也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法来长晶体。
技术参数
高温炉部分 | 炉体设计为开启式,以便于更换炉管 工作电源:208 - 240 VAC, 50/60Hz 最大功率为:2KW 最高工作温度:1200℃(<1hr) 连续工作温度:1100℃ 加热区长度:200mm 恒温区长度:60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ ) 炉管:高纯石英管,尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)(点击图片查看详细资料)
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温度控制系统 | |
真空密封 | |
坩埚移动机构&PLC控制 | 一个直径为1/4"的欧米伽铠装热电偶(K型),通过法兰伸入到炉管中,并可随坩埚移动,可实时监测样品的实际温度。 通过步进电机移动炉管内的坩埚(样品台),最大行程为100mm,移动精度为1mm 通过触摸屏设定坩埚一定的距离和目标位置,坩埚移动速度为180mm/min(更精确的移动速度,可与本公司联系定制,需额外收费) 可观察下图,了解坩埚与热电偶的安装方法
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最大加热速率和冷却速率 | 可通过移动样品到已预加热的炉体中来得到最大的加热速率,也可将样品迅速移除高温的炉体,来得到最大的降温速率 最大加热速率10℃/sec (150℃ - 250℃);7℃/sec (250℃ - 350℃);4℃/sec (350℃ - 500℃);3℃/sec (500℃ - 550℃);2℃/sec (550℃ - 650℃);1℃/sec (650℃ - 800℃);0.5℃/sec (800℃ - 1000℃);最大降温速率10℃/sec (950℃ - 900℃);7℃/sec (900℃ - 850℃);4℃/sec (850℃ - 750℃);2℃/sec (750℃ - 600℃);1.5℃/sec (600℃ - 500℃);1℃/sec (500℃ - 400℃);0.5℃/sec (400℃ - 300℃); |
可选配件 | |
尺寸 | |
质保 | 一年质保期,终生维护(不含加热元件、炉管和密封圈) |
质量认证 | |
注意事项 | 炉管内气压不可高于0.02MPa 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态 进入炉管的气体流量需小于200SCCM,以避免冷的大气流对加热石英管的冲击 石英管的长时间使用温度<1100℃ 对于样品加热的实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,必须立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂,法兰飞出等)
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应用 | 此款设备可用于多种实验,以下列出了几种实验方法 RTE(快速热蒸发):蒸发料放在坩埚中,放入到炉体中心,基片放在样品台上,样品台与热电偶相连接,然后将样品台移动到理想的位置(此位置温度是实验所需要的温度) HPCVD(混合物理化学沉积):与RTE相似,但需配混气系统,对反应气体混合并控制流量,同时也需设定蒸发料的位置(确定蒸发料的蒸发温度) 水平布里奇曼(Bridgman)法来长晶体:将样品和籽晶放入到坩埚中,并将坩埚放入到炉体中心位置,然后设定坩埚移动速度,慢慢移动坩埚
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