InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜

InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜

参考价:面议
型号: InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
产地: 安徽
品牌: 合肥科晶
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产品详情

产品名称:

InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3InP/InGaAs/InP  EPI on InP <100>)

 

产品参数:

薄膜生长方法:MOCVD deposition

基底参数:N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 

薄膜InP:1um 厚;N型掺Si;Nc=~5E15/cc

薄膜In0.53Ga0.47As:3.0±0.5μm 厚; N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc  

薄膜InP(top):1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc 

 

常规尺寸:

dia3 x650±25um

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装

 

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜,合肥科晶InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜产地为安徽,属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺,除了InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。

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