InP上镀InGaAs薄膜

InP上镀InGaAs薄膜

参考价:面议
型号: InP上镀InGaAs薄膜
产地: 安徽
品牌: 合肥科晶
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产品详情

 

产品名称:

InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)

常规尺寸:

dia 2;单抛

标准包装:

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

InP晶向:

<100>±0.5°with one flat 

InP掺杂类型:

不掺杂

InP尺寸:

dia 2inch x 0.35mm ±25um

Nc:

< 1E16/cc

EPD:

<1E4

薄膜参数:

In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

薄膜厚度:

1.0 um (+/- 5%)

抛光情况:

单抛

表面粗擦度:

Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶InP上镀InGaAs薄膜,合肥科晶InP上镀InGaAs薄膜产地为安徽,属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺,除了InP上镀InGaAs薄膜的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。

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