型号: | InP上镀InGaAs薄膜 |
产地: | 安徽 |
品牌: | 合肥科晶 |
评分: |
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产品名称: | InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn) |
常规尺寸: | dia 2" ;单抛 |
标准包装: 技术参数: | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 |
InP晶向: | <100>±0.5°with one flat |
InP掺杂类型: | 不掺杂 |
InP尺寸: | dia 2inch x 0.35mm ±25um |
Nc: | < 1E16/cc |
EPD: | <1E4 |
薄膜参数: | In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc. |
薄膜厚度: | 1.0 um (+/- 5%) |
抛光情况: | 单抛 |
表面粗擦度: | Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML) |
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