Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜

Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜

参考价:面议
型号: Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜
产地: 安徽
品牌: 合肥科晶
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产品详情

 

产品名称:

Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg

(Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?)

常规尺寸:

dia2"+ 200nm ±20nm

标准包装:

 

技术参数:

1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装

 

Al2O3晶向:

c-axis (0001) +/- 1.0 o

导电类型

P型掺Mg

薄膜厚度:

200nm ±20nm;产品级;

正面情况(front surface finish Ga face ):

As-grown

反面情况Back Surface Finish Sapphire 

as-received finish

可用区域:

>90% Edge Exclusion Area 1mm

数据图:

详细数据图请点击

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜,合肥科晶Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜产地为安徽,属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺,除了Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。

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