型号: | Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜 |
产地: | 安徽 |
品牌: | 合肥科晶 |
评分: |
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产品名称: | Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg (Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?) |
常规尺寸: | dia2"+ 200nm ±20nm |
标准包装:
技术参数: | 1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装 |
Al2O3晶向: | c-axis (0001) +/- 1.0 o |
导电类型: | P型掺Mg |
薄膜厚度: | 200nm ±20nm;产品级; |
正面情况(front surface finish Ga face ): | As-grown |
反面情况Back Surface Finish Sapphire ): | as-received finish |
可用区域: | >90% ;Edge Exclusion Area 1mm |
数据图: | 详细数据图请点击 |
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