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Si+Si3N4薄膜

参考价：面议

型号：

Si+Si3N4薄膜

产地：

安徽

品牌：

合肥科晶

评分：

产品详情

产品名称：

Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B）

常规尺寸：

dia 4" +/- 0.5 mm x 0.525 +/- 0.025 mm

标准包装：

技术参数：

1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒

Si参数：	晶向：<100>±0.5°；
	掺杂类型：P型掺B；
	电阻率:<0.02 ohm-cm；
	抛光：单抛；
Si3N4参数：	生长方法：low stress PE-CVD method
	薄膜厚度：100nm +/- 8%
	镀膜情况：Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY

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