Al2O3镀GaN薄膜

Al2O3镀GaN薄膜

参考价:面议
型号: Al2O3镀GaN薄膜
产地: 安徽
品牌: 合肥科晶
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产品详情

 

产品名称:

Al2O3镀GaN薄膜(进口Si-doped?GaN?(0001)?Epitaxial?Template?on?Sapphire?N+type)

技术参数:

GaN类型:N 型掺SiGaN 

薄膜厚度:<0001> 5um ±1umGaN 

电阻率:<0.02 Ohm-cmGaN

载体浓度Carrier concentration:5x10^17-1x10^19/cc

正面 Front surface:Ga-faceAl2O3

参数:<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane,单抛

 

产品尺寸:

  dia 4inch +/- 0.25mm

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶Al2O3镀GaN薄膜,合肥科晶Al2O3镀GaN薄膜产地为安徽,属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺,除了Al2O3镀GaN薄膜的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。

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