金刚石薄膜(高电阻DOI)

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报价:面议
型号: 金刚石薄膜(高电阻DOI)
产地: 美国
品牌: 合肥科晶
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产品详情

 

产品名称:

DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide

技术参数:

基底尺寸:dia4"x0.5mm

Si晶向:<100>±0.5°

绝缘层:SiO2

薄膜厚度:2um

氧化层:1um

电阻率:10E3 ~ 10E4 ohm-cm

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

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合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶金刚石薄膜(高电阻DOI),合肥科晶金刚石薄膜(高电阻DOI)产地为美国,属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺,除了金刚石薄膜(高电阻DOI)的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。
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