型号: | 进口GOI (Ge on insulator) |
产地: | 美国 |
品牌: | 合肥科晶 |
评分: |
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产品名称: | 进口GOI(Germanium?on?Insulator) |
产品简介: | |
技术参数: | Device layer:直径:6" 类型:P 型掺B 晶向:<100>+/10 degree toward <111> 厚度:50 nm +/- 3% 电阻率:corresponding to 1E18 /cc 边取:<111> 抛光:单抛 Buried Thermal Oxide:厚度:100nm Handle wafer:掺杂类型:P 型掺B 晶向:<100> 电阻率:5-20 ohm-cm 厚度:625 +/- 15 um 抛光:As-received (not polished)
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产品规格: | dia6" |
标准包装: | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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