进口GOI (Ge on insulator)

进口GOI (Ge on insulator)

参考价:面议
型号: 进口GOI (Ge on insulator)
产地: 美国
品牌: 合肥科晶
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产品详情

 

产品名称:

进口GOI(Germanium?on?Insulator

产品简介:

技术参数:

Device layer:直径:6" 

类型:P 型掺B 

晶向:<100>+/10 degree toward <111>

厚度:50 nm +/- 3%

电阻率:corresponding to 1E18 /cc

边取:<111>

抛光:单抛

Buried Thermal Oxide:厚度:100nm

Handle wafer:掺杂类型:P 型掺B 

晶向:<100>

电阻率:5-20 ohm-cm

厚度:625 +/- 15 um

抛光:As-received (not polished)

 

产品规格:dia6"

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶进口GOI (Ge on insulator),合肥科晶进口GOI (Ge on insulator)产地为美国,属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺,除了进口GOI (Ge on insulator)的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。

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