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氮化镓(GaN)薄膜

参考价：面议

型号：

氮化镓(GaN)薄膜

产地：

安徽

品牌：

合肥科晶

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产品详情

产品名称：	氮化镓(GaN)薄膜
产品简介：	氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
技术参数：	常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型；半绝缘型；P型电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1x108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown 有效值<1nm 可用表面积>90%
标准包装：	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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