InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料

InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料

参考价:面议
型号: InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
产地: 美国
品牌: 合肥科晶
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产品详情

 

产品名称:

?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating)

常规尺寸:

dia 2" 

InP晶向:

<100>

掺杂类型:

掺Fe ;半绝缘型

电阻率:

>1x10^7)ohm.cm

InP EPD:

<1x10^4 /cm^2

薄膜参数:

Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped)

薄膜Nc:

>2x10^18 /cc  

薄膜厚度:

0.5 um (± 20%)

生长方法:

MOCVD deposition

抛光:

双面抛光

 

  

 

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