VGF法生长GaAs

VGF法生长GaAs

参考价：面议
型号： VGF法生长GaAs
产地： 美国
品牌： 合肥科晶
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合肥科晶材料技术有限公司
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产品详情

产品名称：

VGF生长法 GaAs（进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade）

常规尺寸：

dia 2" x 0.5mm;单抛

 

技术参数：

生长方法：VGF法GaAs晶向：<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸：dia2" x 0.5mm掺杂类型：N型掺Te载流子浓度：(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率：9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD：<8000/cm^2

 

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒

 

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶VGF法生长GaAs，合肥科晶VGF法生长GaAs产地为美国，属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺，除了VGF法生长GaAs的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205，售前、售后均可联系。

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