型号: | VGF法生长GaAs |
产地: | 美国 |
品牌: | 合肥科晶 |
评分: |
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产品名称: | VGF生长法 GaAs(进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade) |
常规尺寸: | dia 2" x 0.5mm;单抛
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技术参数: | 生长方法:VGF法GaAs晶向:<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸:dia2" x 0.5mm掺杂类型:N型掺Te载流子浓度:(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率:9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD:<8000/cm^2
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标准包装: | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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