合肥科晶4H-SiC上镀4H-SiC薄膜4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜

参考价：面议

型号：

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型

产地：

美国

品牌：

合肥科晶

评分：

产品详情

产品名称：	4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型（4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)
常规尺寸：	dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm
技术参数：	4H-SiC薄膜晶向：<0001> 4H-SiC薄膜厚度（film target thickness)：4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ：1.4E17/cc +0% /- 30% 载流子浓度：(3~ 10)E16 /cc 导电类型：P型抛光情况：双面抛光 4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel（10-10）；OF length: 15.9 +/- 1.7 mm 4H-SiC基片尺寸： dia 2 inch x330±25unIF orientation :90 degree cw. from OF +/- 5 degreeIF length:8.0 +/- 1.7 mm 4H-SiC基片电阻率:< 0.03 ohm-cm 4H-SiC抛光：Si面CMP单抛边缘排除：1mm
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶4H-SiC上镀4H-SiC薄膜4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型，合肥科晶4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型产地为美国，属于仪表元件/仪表材料/仪表工艺，除了4H-SiC上镀4H-SiC薄膜的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多仪表元件/仪表材料/仪表工艺,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205，售前、售后均可联系。

问商家

合肥科晶仪表元件4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型的工作原理介绍仪表元件4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型的使用方法?合肥科晶4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型多少钱一台?仪表元件4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型可以检测什么？仪表元件4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型使用的注意事项？合肥科晶4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型的说明书有吗？合肥科晶仪表元件4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型的操作规程有吗？合肥科晶仪表元件4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型报价含票含运吗？合肥科晶4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型有现货吗？