磷化铟(InP)晶体基片

磷化铟(InP)晶体基片

报价：面议
型号： 磷化铟(InP)晶体基片
产地： 安徽
品牌： 合肥科晶
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合肥科晶材料技术有限公司
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核心参数
产品详情
简介
磷化铟（InP）晶体基片是一种高质量的半导体材料，具有N型和P型导电性，载流子浓度在1-4×10^18 cm^-3范围内，位错密度小于5×10^4 cm^-2。其硬度为3.0莫氏硬度，密度为4.78g/cm3，折射率为3.45，生长方法为LEC，生长温度为1072℃。常规尺寸包括10x10x0.5mm和dia2"x0.5mm，提供单抛或双抛处理，表面粗糙度Ra小于15Å。该产品在1000级超净室中生产，并采用100级超净袋包装。可根据客户需求定制尺寸和方向。

产品名称：

磷化铟(InP)晶体基片

产品简介：


技术参数：

单晶：InP掺杂：None；Sn；S；Fe：Zn硬度：3.0莫氏硬度密度：4.78 g/cm3导电类型：N；N；N；Si；P折射率：3.45载流子浓度cm-3  ：1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2 ：<5x104生长方法：LEC温度：1072℃弹性模量：7.1E11dyn  Cm-2

 

常规尺寸：

常规晶向：<100>；

常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；

抛光情况：单抛或双抛; 

表面粗糙度Ra：<15A

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注：

1000级超净室100级超净袋

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