超高真空(UHV)分子束外延(MBE)镀膜系统工作原理示意图

2013-01-07 10:17  下载量:34

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超高真空(UHV)分子束外延(MBE)(Molecular Beam Epitaxy)镀膜系统工作原理示意图 分子束外延是利用分子在超高真空的环进下,以直线前进部与其他分子碰状态下,行进至基板上,形成致密的高纯度镀膜。 铠柏公司所生产的MBE,可在不破真空下更换样品。多孔腔体设计,可同时安装六支蒸镀源(Ion Source),并有多样蒸镀源可供选择。

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