超高真空(UHV)磁控溅镀系统(Sputter)

超高真空(UHV)脉冲激光沉积(PLD)工作原理示意图

简介：超高真空(UHV)脉冲激光沉积(PLD)(Pulsed Laser Deposition)镀膜系统工作原理示意图 PLD藉由脉冲激光束聚焦在靶材的表面上。靶材表面吸收大量能量，导致靶材快速蒸发而产生等离子羽状物并达到镀膜效果。 铠柏科技致力于PLD的镀膜技术并且依据客户实验需求开发客制化的超高真空系统，一般工作压力小于10-9Oorr

超高真空(UHV)分子束外延(MBE)镀膜系统工作原理示意图

简介：超高真空(UHV)分子束外延(MBE)(Molecular Beam Epitaxy)镀膜系统工作原理示意图 分子束外延是利用分子在超高真空的环进下，以直线前进部与其他分子碰状态下，行进至基板上，形成致密的高纯度镀膜。 铠柏公司所生产的MBE，可在不破真空下更换样品。多孔腔体设计，可同时安装六支蒸镀源(Ion Source)，并有多样蒸镀源可供选择。

超高真空双电子枪(Dual E-Gun)镀膜系统工作原理示意图

简介：超高真空双电子枪(Dual E-Gun)镀膜系统工作原理示意图： 电子枪利用高压电子束轰击，并加热靶材，使靶材分子离开表面并进行镀膜。 台湾铠柏所生产UHV-E-Gun DE1 具有双电子枪，和六个基片座的Manipulator， 可大幅提高工作效率。

COMPexPro_DS_revC_0710

简介：铠柏公司(AdNaNo)生产的超高真空(UHV)系统所使用之激光系统。 档案为美国激光大厂Coherent，所生产之激光的型号、规格、效能。