方案摘要
方案下载应用领域 | 电子/电气 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | 物理性质 |
参考标准 | ALD,原子层沉积,粉末包覆 |
ALD 反应依赖于多种前驱体化学物质得到最终产物的一种气相沉积技术。由于 ALD 反应的自限制特性,前驱体通常是过量的,从而保证表面的饱和化学吸附,实现均匀包覆。在半导体工艺中,ALD 技术已经得到广泛应用。
希腊神话中普罗米修斯窃取天机,为人类带来火焰与文明。而纳米科学家们无疑是我们时代的“普罗米修斯”。原子层沉积技术(ALD)作为一种精确到原子层面的沉积技术,探寻各种各样的配方就如同“纳米盗火者”一般,将微观世界的火种带入现实。
ALD 反应依赖于多种前驱体化学物质得到最终产物的一种气相沉积技术。由于 ALD 反应的自限制特性,前驱体通常是过量的,从而保证表面的饱和化学吸附,实现均匀包覆。在半导体工艺中,ALD 技术已经得到广泛应用。近年来,随着粉末 ALD 包覆研究:PALD(Particle ALD)的兴起,前驱体的开发被赋予了更高的使命与要求。开发新型 ALD 前驱体,将是“纳米盗火者”们不竭的使命。
开发各类前驱体是进行 ALD 反应的关键
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