方案摘要
方案下载应用领域 | 电子/电气 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | 特性 |
参考标准 | ALD,原子层沉积,粉末包覆 |
与传统的表面改性不同,PALD 是真正可以实现原子级/分子层级控制精度的粉末涂层技术,并保持良好的共形性。原子层沉积技术是一种基于自限制性的化学半反应将被沉积物质以单原子膜的形式一层一层的镀在物体表面的薄膜技术。与常规的化学气相沉积不同,原子层沉积将完整的化学反应分解成多个半反应,从而实现单原子层级别的薄膜控制精度。由于基底表面存在类似羟基这样的活性位点,因此前驱体可以形成单层的饱和化学吸附,从而实现自限制性反应。而在经过单个周期反应后,新的位点暴露出来,可以进行下一个周期的反应。
与传统的表面改性不同,PALD 是真正可以实现原子级/分子层级控制精度的粉末涂层技术,并保持良好的共形性。原子层沉积技术是一种基于自限制性的化学半反应将被沉积物质以单原子膜的形式一层一层的镀在物体表面的薄膜技术。与常规的化学气相沉积不同,原子层沉积将完整的化学反应分解成多个半反应,从而实现单原子层级别的薄膜控制精度。由于基底表面存在类似羟基这样的活性位点,因此前驱体可以形成单层的饱和化学吸附,从而实现自限制性反应。而在经过单个周期反应后,新的位点暴露出来,可以进行下一个周期的反应。而 ALD 反应的特点决定了:
1. 反应具有自限制性,因此每个周期理论上最多只有一层目标涂层形成
2. ALD 反应具有较好的绕镀性,可以实现其他方法无法达到的保形,均匀的涂层
3. 厚度可控,通过控制反应的周期,从而实现原子层级的厚度控制
ALD 的原理:氧化铝涂层的生长
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