布鲁克Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE_价格-上海尔迪仪器科技有限公司

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Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

——用于IC器件开发和制造的多模薄膜计量学

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FilmTek™ 6000标准杆数-SE先进的多模薄膜计量系统在1x nm设计节点和更高的位置为广泛的薄膜层提供生产验证的薄膜厚度、折射率和应力测量监测。该系统能够在新一代集成电路的生产过程中实现更严格的过程控制，提高器件产量，并支持下一代节点技术的开发。

制造1x nm的先进IC器件需要使用高度均匀的复合膜。能够监测非常薄的薄膜的计量工具，通常在多层膜堆叠中（例如，高k和氧化物-氮化物-氧化物膜），使制造商能够保持对膜构建过程的严格控制。此外，一些工艺，如多重图案化，会导致薄膜厚度的梯度，必须对其进行监控，以获得佳器件性能（例如，注入损伤和低k薄膜）。不幸的是，现有的计量工具依赖于传统的椭偏测量或反射测量技术，其检测这些应用的薄膜梯度变化的能力有限。

为了克服这些挑战，FilmTek 6000标准杆数-SE将光谱椭圆偏振仪和DUV多角度极化反射仪与宽光谱范围相结合，以满足与多图案和其他前沿器件制造技术相关的需求。该系统采用我们多角度差分偏振（MADP）和差分功率谱密度（DPSD）技术，可独立测量薄膜厚度和折射率，显著提高其对薄膜变化的灵敏度，尤其是多层堆叠中的变化。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚膜叠层都是理想的。

技术规格

膜厚范围	0 Å to 150 µm
膜厚精度	±1.0 Å for NIST traceable standard oxide 100 Å to 1 µm
光谱范围	190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的测量	50 µm
样本量	2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光谱分辨率	0.3 nm - 2nm
光源	Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)
探测器类型	2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)
Computer	Multi-core processor with Windows™ 10 Operating System
测量时间	~2 sec per site (e.g., oxide film)

性能规格

Film(s)	厚	测量参数	精确 (1σ)
氧化物/硅	0 - 1000 Å	t	0.03 Å
	1000 - 500,000 Å	t	0.005%
	1000 Å	t , n	0.2 Å / 0.0001
	15,000 Å	t , n	0.5 Å / 0.0001
	150.000 Å	t , n	1.5 Å / 0.00001
氮化物/硅	200 - 10,000 Å	t	0.02%
氮化物/硅	500 - 10,000 Å	t , n	0.05% / 0.0005
光致抗蚀剂/硅	200 - 10,000 Å	t	0.02%
光致抗蚀剂/硅	500 - 10,000 Å	t , n	0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物/硅	200 - 10,000 Å	t Poly , t Oxide	0.2 Å / 0.1 Å
多晶硅 / 氧化物/硅	500 - 10,000 Å	t Poly , t Oxide	0.2 Å / 0.0005

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型号：	FilmTek 6000 PAR-SE
产地：	德国
品牌：	布鲁克
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