表面分析技术在半导体行业的应用

PHI AES发展历程

简介：俄歇电子能谱（Auger Electron Spectroscopy, AES）作为表面分析技术领域的纳米探针技术，在固体材料表面纳米尺度的元素成分分析及形貌表征方面发挥着重要作用。AES不仅能通过从样品表面激发出二次电子以观察表面形貌，还能通过探测俄歇电子进行表面成分分析和深度分析。

AES俄歇电子能谱专辑之功能篇（一）

简介：俄歇电子能谱仪（AES），作为表面分析技术领域的纳米探针，在固体材料表面纳米尺度的元素成分分析及形貌表征方面发挥着重要作用。AES采用场发射电子源作为探针，不仅能通过从样品表面激发出二次电子以观察表面形貌，还能通过探测俄歇电子，用于表面成分分析。此外，AES通过集成的溅射离子枪赋予了对材料纵向深度的逐层剖析能力，从而深入洞悉材料从表面至内部的成分变化与分布规律。 本篇技术文章将主要介绍AES的基本功能：表面元素的定性分析、定量分析以及化学态分析。

固态电池中电解质/金属锂界面的XPS-HAXPES表征

简介：原位XPS（常规X射线光电子能谱）结合HAXPES（硬X射线光电子能谱）技术，具备从表面至体相（梯度变化）无损深度分析的能力，为表/界面研究提供了重要的技术支持。

燃料电池电极界面的XPS-HAXPES表征

简介：关键词：燃料电池、XPS-HAXPES、大面积SXI、Mosaic、深剖、StrataPHI、膜厚

GCIB团簇离子尺寸的调控

简介：Ar-GCIB团簇离子尺寸测量配件作为优化GCIB溅射能力的有效工具，能够实现溅射损伤和溅射速率之间的平衡，为新型纳米材料和复杂混合样品的深度分析提供了强大工具。