资料摘要
资料下载俄歇电子能谱（AES）能测量的俄歇电子只能来自样品表面约0.4-5nm的最外层，因此被称为表面分析的仪器。在实际应用中，人们还需要了解样品沿深度方向的元素分布情况，也就说需要将表面的二维分析扩展为三维深度剖析，如此仪器必须配备离子枪，对样品表面进行剥离。因为俄歇能谱仪能够控制比较小的分析面积，配上性能优越的离子枪，用溅射的方式能取得深层的元素分布情况。AES在材料分析中的应用，往往在做深度剖析时，需要预先知道一些样品的信息，及样品的膜层结构，同时也要知道每一层所含有的元素和大概的膜层厚度，以便于深度分析时，设定分析条件。
文献贡献者
固态电池中电解质/金属锂界面的XPS-HAXPES表征
简介：原位XPS（常规X射线光电子能谱）结合HAXPES（硬X射线光电子能谱）技术，具备从表面至体相（梯度变化）无损深度分析的能力，为表/界面研究提供了重要的技术支持。
燃料电池电极界面的XPS-HAXPES表征
简介：关键词：燃料电池、XPS-HAXPES、大面积SXI、Mosaic、深剖、StrataPHI、膜厚
GCIB团簇离子尺寸的调控
简介：Ar-GCIB团簇离子尺寸测量配件作为优化GCIB溅射能力的有效工具，能够实现溅射损伤和溅射速率之间的平衡，为新型纳米材料和复杂混合样品的深度分析提供了强大工具。
全新功能－高德公司的技术视频
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光电子能谱仪（XPS）的自动双束中和功能
简介：当用XPS仪器分析绝缘样品时，样品表面必须保持电中性，即样品表面无静电荷分布。假设样品表面分布有静电荷，就会导致光电子飞出的动能发生变化。通常表面荷电会导致光电子动能减小，即结合能向高端偏移。 为了很好的解决这个问题，ULVAC-PHI公司的XPS设备增加了双束中和枪的功能，中和枪为绝缘样品荷电区域提供了稳定的荷电补偿。
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