| 型号： | 工频介电常数试验仪 |
| 产地： | 北京 |
| 品牌： | 中航时代 |
| 评分： |
|
ZJD-87工频介电常数试验仪
一、符合标准：
GB/T1409测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长存内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法;
GB/T 5654-2007液体绝缘材料相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量;
二、产品概述：
ZJD-87型工频介电常数试验仪是一款专为实验室研制的高精度高压电桥，突破了传统的电桥测量方式，采用变频电源技术，利用单片机和现代化电子技术进行自动频率变换、模/数转换和数据运算；达到抗干扰能力强、测试速度快、精度高、全自动数字化、操作简便；工频介电常数试验仪广泛适用于电力行业中变压器、互感器、套管、电容器、避雷器等设备及相关绝缘材料的介损和介电常数的测量。
三、技术指标：
准确度：Cx:±（读数×0.5%+0.5pF）；
tgδ:±（读数×0.5%+0.00005）；ε：0.5%；
抗干扰指标：变频抗干扰（40-70Hz），最大输入电流5A；
内置最高10KV测试电压输出，可调分辨率1V；
电容量范围：内施高压：3pF～60000pF/10kV；60pF～1μF/0.5kV；
外施高压：3pF～1.5μF/10kV；60pF～30μF/0.5kV；
外接量程扩展器时可以测试几千安培下高压电器的介损值；
分辨率：最高0.001pF，4位有效数字；
计算机接口：标准RS232接口；
外形尺寸：8U标准机箱；
仪器重量：25kg；
离子位移极化—— Ionic Polarization
电介质中的正负离子在电场作用下发生可逆的弹性位移。 正离子沿电场方向 移动，负离子沿反电场方向移动。由此形成的极化称为 离子位移极化。
离子在电场作用下偏移平衡位置的移动相当于形成一个感生偶极矩。
离子位移极化所需时间大约为10-12～10-13秒 。不以热的形式耗散能量，不导致介电损耗。
介质损耗
•损耗的形式
•介质损耗的表示方法
•介质损耗和频率、温度的关系
•无机介质的损耗
介质损耗定义：
电介质在单位时间内消耗的能量称为电介质损耗功率，简称电介质损耗。或：电场作用下的能量损耗，由电能转变为其它形式的能，如热能、光能等，统称为介质损耗。它是导致电介质发生热击穿的根源。
损耗的形式：
电导损耗：在电场作用下，介质中会有泄漏电流流过，引起电导损耗。 实质是相当于交流、直流电流流过电阻做功，故在这两种 条件下都有电导损耗。绝缘好时，液、固电介质在工作电 压下的电导损耗是很小的，
极化损耗：只有缓慢极化过程才会引起能量损耗，如偶极子 的极化损耗。
游离损耗：气体间隙中的电晕损耗和液、固绝缘体中局部放 电引起的功率损耗称为游离损耗。
介质损耗的表示：
当容量为C0=?0S/d的平板电容器上 加一交变电压U=U0eiwt。则：
1、电容器极板间为真空介质时， 电容上的电流为：
2、电容器极板间为非极性绝缘材料时，电容上的电流为：
3、电容器极板间为弱导电性或极性，电容上的电流为：
G是由自由电荷产生的纯电导，G=?S/d， C=?S/d
如果电荷的运动是自由的， 则G实际上与外电压额率无关；如果这些电荷是被 符号相反的电荷所束缚， 如振动偶极子的情况，G 为频率的函数。
介质弛豫和德拜方程：
1）介质弛豫：在外电场施加或移去后，系统逐渐达到平衡状 态的过程叫介质弛豫。 介质在交变电场中通常发生弛豫现象，极化的弛豫。在介质上加一电场，由于极化过程不是瞬时的，极化包括两项：
P(t) = P0 + P1(t)
P0代表瞬时建立的极化(位移极化)， P1代表松弛极化P1(t)渐渐达到一稳定值。这一滞后 通常是由偶极子极化和空间电荷极 化所致。 当时间足够长时， P1(t)→ P 1 ∞ ， 而总极化P(t) → P∞ 。
2）德拜(Debye)方程：
频率对在电介质中不同的驰豫现象有关键性的影响。 设低频或静态时的相对介电常数为ε(0)，称为静态相对介电常数；当频率ω→∞时，相对介电常数εr’ →ε∞（ ε∞代表光频 相对介电常数）。则复介电常数为：
影响介质损耗的因素：
1、频率的影响
ω→0时，此时不存在极化损 耗,主要由电导损耗引起。 tgδ=δ/ωε，则当ω→0时， tgδ→∞。随着ω升高，tgδ↓。
随ω↑，松弛极化在某一频率开始跟不上外电场的变化， 松弛极化对介电常数的贡献 逐渐减小，因而εr随ω↑而↓。 在这一频率范围内，由于ωτ <<1，故tgδ随ω↑而↑。
当ω很高时，εr→ε∞，介电常数仅 由位移极化决定，εr趋于最小值。 由于ωτ >>1，此时tgδ随ω↑而↓。 ω→∞时，tgδ→0。
tgδ达最大值时ωm的值由下式求出:
tgδ的最大值主要由松弛过程决定。如果介质电导显著变大，则tgδ的最大值变得平坦， 最后在很大的电导下，tgδ无最大值，主要表现为电导损耗特征：tgδ与ω成反。
2、温度的影响
当温度很低时,τ较大，由德拜关系式可知，εr较小，tgδ也较小。此时，由于ω2τ2>>1,由德拜可得：
随温度↑，τ↓，所以εr、tgδ↑
当温度较高时，τ较小，此时ω2τ2<<1
随温度↑，τ↓，所以tgδ ↓。这时电导上升并不明显，主要决定于极化过程：
当温度继续升高，达到很大值时， 离子热运动能量很大，离子在电场作用下的定向迁移受到热运动的阻碍，因而极化减弱，εr↓。此时电导损耗剧烈↑，tgδ也随温度 ↑而急剧上升↑。
3.湿度的影响
• 介质吸潮后，介电常数会增加，但比电导的增加要慢，由于电导损耗增大以及松驰极化损耗增加，而使tgδ增大。
• 对于极性电介质或多孔材料来说，这种影响特别突出，如，纸内水分含量从4％增加到10％时，其tgδ可增加100倍。
降低材料的介质损耗的方法
（1）选择合适的主晶相：尽量选择结构紧密的晶体作为主晶相。
（2）改善主晶相性能时，尽量避免产生缺位固溶体或填隙固溶体，最好形成连续固溶体。这样弱联系离子少，可避免损耗显著增大。
(3)尽量减少玻璃相。有较多玻璃相时，应采用“中和效应"和“压抑效应"，以降低玻璃相的损耗。 (4）防止产生多晶转变，多晶转变时晶格缺陷多，电性能下降，损耗增加。
(5）注意焙烧气氛。含钛陶瓷不宜在还原气氛中焙烧。烧成过程中升温速度要合适，防止产品急冷急热。
(6)控制好最终烧结温度，使产品“正烧"，防止“生烧"和“过烧"以减少气孔率。此外，在工艺过程中应防止杂质的混入，坯体要致密。
相关产品
工商信息
信息已认证
关注
拨打电话
留言咨询
