利用导电探针原子力显微镜(CP-AFM)测量碳纳米管薄膜导电性

2019/07/04   下载量: 0

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应用领域 半导体
检测样本 其他
检测项目
参考标准 原子力显微镜 CP-AFM

导电性测量是一种有效的方法, 可用来描述某些特殊应用中材料的特性与行为,从能量存储和能量转换元件,到分子元件电路以及纳米级半导体元件。导电探针原子力显微镜(CP-AFM)是其中一种相当有用的技术,它可以提供精确的纳米级测量和先进材料如CNTs膜的导电性的相对分布图。在过去的十年中,几种检测被引入来研究这些材料,然而,绝大多数只能测量有限的电性范围。在这项研究中,配备CP-AFM的Park NX20被用来研究具有广泛导电性的3种不同的材料。实验所得数据清晰地证明了,这项技术借由整合对数型电流放大器于系统中,可利用来测量不同导电材料的典型表征,以及提供薄膜材料的导电率空间解析图。

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利用包含CP-AFMPark NX20统对CNTs薄膜的形貌和导电行了表征。本实验中收集的据表明,这项可以材料的特性提供定性和定量的信息。此外,果表明,这种量各种导电材料所覆盖的材料的导电率和微分表面上是一有效的手段,利用了集成在系中的对数电流放大器。体而言,本究中所描述的这项所包含的电学参数信息成功地究人设备工程更好地了解某些材料的特性能,如碳纳米管


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