型号: | EBAC/RCI |
产地: | 德国 |
品牌: | 博易 |
评分: |
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EBAC/RCI电性失效分析系统,能够方便快速的定位半导体芯片电路中的短路及失效点位置,不但可以对同层电路,而且可以对次表层,甚至表层下第三层、第四层电路进行失效点的精准定位,因此能够对半导体芯片电路或相关材料进行快速准确的失效分析。
目前,集成电路芯片设计越来越复杂,关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束又到电阻变化鞥,由于其分辨率不足,导致不能精确地定位电路故障点位置,电压衬度方法虽然在一些开路短路失效分析中能快速地定位失效点,但只是局限于电路同层分析。
EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统是基于扫描电镜的分析系统,在保留扫描电镜高分辨率的前提下,能够对同层芯片电路进行高精准定位,同时能够对次表层甚至表面下第三、第四层电路进行失效点定位,因此越来越多的应用于先进制程芯片的失效分析。在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC/RCI方法更加简便精确,可保证分析的成功率,并缩短分析周期。
EBAC/RCI acquisition 电子束吸收电流采集系统
The lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)
and Resistive Contrast Imaging (RCI)
对样品中的开路、有阻值或者短路缺陷进行精准定位
对金属线中由于断裂、腐蚀、电子迁移或者外来颗粒造成的电路阻断进行精准定位
准确识别连接处由于界面污染造成的电阻开路
FIB制样过程中精准定位,为透射电镜做出高质量样品
最高分辨率下表征样品连接处的性能
直观展示亚微米平面分辨率下的电路网络集成和从电性失效分析(EFA)到物性失效分析(PFA)的桥接
诊断电路结构和其他长期课题,包括电路污染、金属花斑缺陷(pattering defects),电阻互联板(resistive interconnectors)或者电迁移(electro-migration)
直接辨别电路缺陷到具体某一层和失效的具体位置,迅速改进从而有效提生产品质量
内置偏压对比装置,确定设备操作模式
延迟装置(delayered devices)中以图像方式显示偏压/电压对比
偏压条件下监控设备操作
通过设备设置对比图像特征
可在很薄的绝缘体层中确定缺陷位置
在彻底失效前,直接观测栅极氧化层(GOX)和氧化电容器(COX)中的缺陷,并对其精准定位
亚微米分辨率下,精准定位由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)导致的氧化物短路
定位过程中,通过低至nW级的电力损耗,可有效保护样品的原始缺陷特征
通过电压对比,找到隐藏的样品缺陷
发现允许电荷穿过连接器的低抗阻
进行半导体硅基底相连接部分的结构分析
对大型金属结构特性进行分析
了解更多信息,敬请联系。
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