少子寿命检测在SiC领域的应用

2022/06/15   下载量： 0 次

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应用领域 半导体
检测样本 集成电路
检测项目 电化学及储能>其他
参考标准 碳化硅少子寿命测试仪、SiC少子寿命测量仪

近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某一器件的顶配性能。

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近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某一器件的性能。为了制造出最高成品率的SiC器件，需要一种具有高分辨率的材料表征方法，以及一种研究SiC缺陷来源的方法，以进一步提高SiC器件的质量。


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束蕴仪器（上海）有限公司
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