型号: | INSTEMS MET |
产地: | 北京 |
品牌: | 百实创 |
评分: |
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INSTEMS系列为用户提供了7种原位TEM实验平台。其中包含三种单外场施加平台,三种双外场耦合平台和一种三外场耦合平台。三种单外场产品为INSTEMS-M(力学加载)、INSTEMS-E(电学加载)和INSTEMS-T(热场加载);三种双外场耦合产品为INSTEMS-ME(力电耦合)、INSTEMS-TE(热电耦合)和INSTEMS-MT(力热耦合);一种三外场耦合产品为INSTEMS-MET(力热电耦合)。
产品介绍:
INSTEMS-MET采用独特的MEMS芯片设计和新颖的集成策略,克服了多场耦合的诸多兼容性难题,完美保存了TEM样品杆的双轴倾转功能。可以在TEM中向样品施加力、热、电三种外场,实现外场的灵活组合,原位观察材料原子尺寸微观结构变化。
该产品极大地拓宽了原位电子显微学的研究范畴,是科研工作者研究复杂力/热/电环境下材料的强大工具。
突出优势:
1、灵活热/力/电场耦合
超宽加热范围 ( RT-1200 oC )
超高加热精度( < 0.1 oC )
牛顿级驱动器(> 100 mN)
pm级驱动控制
多种加载模式
多种通电程序
pA级电学测量
2、双轴倾转
α 轴倾转最高至±25°
β 轴倾转最高至±25°
3、稳定的原子尺度成像
极限样品漂移<50 pm/s
空间分辨率≤0.1 nm
技术优势:
Item | Parameter |
mini-lab兼容性 | MT/TE/ME/M/E/T |
加热范围 | RT up to 1200 ℃ * |
加热准确性 | ≥98% |
加热速率 | >10000 °C/s |
最大驱动力 | > 100 mN |
最大驱动位移 | 4 μm |
驱动精度 | < 500 pm |
最大电压 | ± 50 V * |
电流测量范围 | 1 pA-1 A |
空间分辨率 | ≤0.1 nm |
EDS兼容性 | √ |
应用领域:
半导体
电池安全
器件失效
热电材料
……
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