方案摘要
方案下载| 应用领域 | 电子/电气 |
| 检测样本 | |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | 超浅层离子注入的深度剖析 |
超浅层深度分析的典型应用领域是SIMS在半导体行业应用的经典课题。 该技术可以平行检测所有质量，并且在低能量溅射下具有优异的灵敏度，非常适用于筛查和区分。
案例二、浅层注入
 | 超浅层深度分析的典型应用领域是SIMS在半导体行业应用的经典课题。 这里主要感兴趣的是低能量硼、磷和砷注入的分析，而且分析超浅层栅极氧化物和检测自然氧化物中的微量元素都要求在低能量溅射下具有优异的灵敏度。 该技术可以平行检测所有质量，因此也能同时测量到注入的F以及金属污染物，例如铝。因此，该技术非常适用于筛查和区分。 |
| 如图所示为：100 keV 砷注入, 1000 V Cs源用于溅射剥离, 15 keV Bi 源用于溅射分析。 |
文献贡献者
应用案例——半导体材料行业（1）
应用案例——半导体材料行业（5）
应用案例——半导体材料行业（4）
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